В MIT разрабатывают новый тип транзисторов

Специалисты Массачусетского технологического института (MIT) на этой неделе планируют обнародовать результаты исследований по разработке транзисторов нового типа, которые, как ожидается, позволят улучшить технические характеристики электронных устройств.

По мнению ученых, в течение следующих десяти-пятнадцати лет традиционная технология изготовления транзисторов на основе кремния столкнется с рядом ограничений. В результате, осуществлять дальнейшее увеличение производительности электронных компонентов станет крайне сложно. Американские исследователи из Массачусетского технологического института намерены решить проблему за счет использования новых материалов и методик производства транзисторов. Одним из перспективных направлений считается технология, основанная на применении арсенида индия и галлия (InGaAs).

Как сообщает CNET News со ссылкой на заявления профессора Джезуса Дель Аламо, транзисторы на основе InGaAs обеспечивают в несколько раз более высокую скорость перемещения электронов по сравнению с кремниевыми транзисторами. В лаборатории Массачусетского технологического института уже изготовлены образцы новых транзисторов размером порядка 60 нанометров. Впрочем, массовое производство транзисторов на базе InGaAs может быть затруднено, поскольку соответствующая технология пока полностью не доработана, и процент брака достаточно высок. Тем не менее, ученые считают, что прототипы устройств, построенных с применение транзисторов на основе арсенида индия и галлия, появятся в течение следующих двух лет.

Новые методики изготовления транзисторов разрабатываются и в других научных организациях. Например, специалисты из Чикагского университета и Аргоннской национальной лаборатории предлагают изготавливать транзисторы из алмазов. Алмазные транзисторы могут работать в агрессивных средах и при очень высоких температурах и поэтому могут найти применение в специфических областях, например, в медицине.

Источник - http://science.compulenta.ru

Новости партнеров: