Intel рассматривает возможность применения нанотрубок для будущих чипов

Intel занимается изучением возможностей замены медных соединений внутри чипов на проводники в виде углеродных нанотрубок, потенциальные свойства которых обещают стать решением ряда проблем, возникающих при переходе на все более «тонкие» технологии.

В исследовательском проекте Intel вместе с Орегонской лабораторией компании принимают участие Калифорнийский технологический институт, Колумбийский, Портлендский университеты и университет Иллинойса. Соединения внутри чипа являются традиционной «головной болью» разработчиков полупроводников при освоении более «тонких» норм производства. Этот процесс неминуемо сопровождается уменьшением толщины проводников, а это, в свою очередь, ведет к увеличению их активного сопротивления. В конце 1990-х именно этот фактор стал основной причиной отказа от использования алюминия в пользу меди для реализации внутренних проводников. Сейчас, однако, уже и медь, как, впрочем, и любой другой металл постепенно перестает удовлетворять новым требованиям. Новая надежда проектировщиков – нанотрубки, некоторые из которых способны обеспечивать «баллистическую» проводимость для электронов, при практическом отсутствии препятствий в виде атомов, присутствующих в узлах кристаллических решеток металлов.

В зависимости от заданных свойств углеродные нанотрубки могут выступать не только как проводники, но и как полупроводники, что позволяет использовать их для построения транзисторов. Возможно, в будущем чипы будут представлять собой мириады нанотрубок, что ставит перед исследователями разработку методов их выращивания с получением необходимых характеристик, а также эффективные способы подтверждения этих самых характеристик для отсеивания «брака». Все это на сегодняшний день выглядит намного сложнее, чем заполнение подготовленных канавок медью, поэтому вряд ли нанотрубки появятся в коммерческих продуктах в ближайшие несколько лет.

Будущее углеродных трубок в чипах остается под вопросом, однако вполне определенно можно сказать, что базовые структуры и материалы внутри полупроводниковых устройств радикально изменятся в ближайшие два десятилетия. Ожидается, что примерно в 2010-2012 годах исследователям удастся сузить круг потенциальных новых технологий, а в середине десятилетия появятся чипы, содержащие сочетание кремниевых и наноэлементов. А в 2020-х годах, вероятно, потенциал дальнейшего сокращения размеров полупроводниковых элементов на базе кремния будет исчерпан, и разработчикам придется перейти на использование совершенно других материалов.

Источник - www.3dnews.ru

Новости партнеров: