Память PRAM от Samsung – альтернатива традиционным NAND-чипам флэш-памяти

Бывалые пользователи компьютеров Mac, должно быть, знакомы с фразой «Ты очистил PRAM?» Однако новая оперативная память с фазовым изменением (Phase-Change Random Access Memory, PRAM) компании Samsung не имеет ничего общего с использовавшейся ранее параметрической оперативной памятью (Parameter RAM).

Эта новая разработка способна дать толчок к дальнейшему развитию технологий производства долговременной памяти: как сообщается, скорость работы PRAM будет в 30 раз превышать производительность обычных NAND- или NOR-чипов флэш-памяти, а срок службы PRAM-чипов будет в 10 раз больше. В настоящее время Samsung уже представила прототип PRAM-чипа ёмкостью 512 Мб, а массовое производство такой памяти должно начаться в 2008 году.

Описание технических особенностей новых чипов памяти включает фразы «вертикальные диоды» и «трехмерная структура транзисторов», что способствует более плотной упаковке компонентов и уменьшению физического размера модулей PRAM-памяти. Кроме того, запись в такую память можно вести без её предварительной очистки. Ожидается, что PRAM-чипы в перспективе будут дешевле и миниатюрнее ныне существующих NAND-чипов, что уже само по себе достойно уважения, особенно принимая во внимание тот факт, что Samsung уже представила 32-гигабайтный NAND-чип, выполненный с использованием техпроцесса 49 нм.

Источник: Mobile Device

Новости партнеров: