НР обещает мемристорные накопители в 2013 году

Hewlett-Packard объединяет усилия с компанией Hynix Semiconductor для освоения производства накопителей, выполненных по революционной технологии с использованием мемристоров.

Мемристоры считаются четвертым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Возможность существования мемристора была предсказана в 1971 году профессором Калифорнийского университета в Беркли (США) Леоном Чуа (Leon Chua), однако на практике создать прототип мемристора удалось только в 2008 году силами НР.

Ключевая особенность элемента данного типа — гистерезис: реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется ее собственной историей. Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это позволяет использовать элемент в качестве ячейки памяти.

Поначалу, как сообщается, накопители на мемристорах смогут стать альтернативой флеш-памяти. Среднее время записи/стирания данных, предположительно, составит около 0,1 нс; количество циклов перезаписи — 1012. Появление таких продуктов ожидается в середине или во второй половине 2013 года.

В дальнейшем планируется улучшение характеристик памяти нового типа, после чего она сможет конкурировать с микросхемами DRAM и SRAM. Случится это в 2014–2015 годах.

Источник: compulenta.ru

Новости партнеров: