Intel и Micron Technology объявили о переходе на нормы 20 нм в производстве флэш-памяти

Компании Intel и Micron Technology, являющиеся партнерами по выпуску флэш-памяти типа NAND, объявили о переходе на 20-нанометровый технологический процесс производства этой продукции. Новый процесс позволяет выпускать микросхемы с многоуровневыми ячейками (MLC NAND) емкостью 8 ГБ. Областями применения такой памяти названы смартфоны, планшеты и твердотельные накопители.

Площадь чипов указанного объема, которые изготовлены по 20-нанометровой технологии, равна 118 кв. мм. В зависимости от типа корпуса микросхемы, они занимают на 30-40% меньше пространства на печатной плате, микросхемы того же объема, изготовленные по 25-нанометровой технологии, отмечают производители. Уменьшение размеров позволяет улучшить свойства конечного продукта, например, установить батарею большей емкости, больший экран или добавить еще один чип для расширения функциональности.

Важно, что переход на 20-нанометровый техпроцесс не ухудшил показатели скорости работы флэш-памяти и срока эксплуатации.

В настоящее время доступны ознакомительные образцы. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 г. В ближайшее время Intel и Micron планируют представить образцы модулей емкостью 16 ГБ, которые, по словам производителей, «позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 Гбайт размерами меньше, чем почтовая марка США».

Источник: iXBT.com

Новости партнеров: