Корпорация Intel совершила очередной прорыв

Новый материал поможет создавать процессоры с меньшим энергопотреблением и тепловыделением.

Вчера корпорация Intel объявила о создании прототипа нового сверхбыстрого и при том очень экономичного транзистора. Это стало возможным благодаря использованию новых материалов, которые во второй половине следующего десятилетия могут послужить основой усовершенствованных микропроцессоров и других логических схем.

Инженеры компаний Intel и QinetiQ продемонстрировали работающий в режиме обогащения транзистор, в котором в качестве токопроводящего материала используется антимонид индия (химическое обозначение - InSb).

Значительное снижение энергопотребления на уровне транзисторов в сочетании с существенным повышением производительности имеет большое значение для дальнейшего развития вычислительных платформ, позволяя реализовать в них дополнительные функции и возможности.

Это, например, может существенно продлить срок автономной работы мобильных устройств и открывает новые возможности для создания более компактных и в то же время более мощных систем.

"Обеспечивая повышение производительности в полтора раза и потребляя примерно в 10 раз меньше энергии, транзисторы из нового материала предоставят нам великолепные возможности для создания платформ, более эффективных во всех отношениях", - заявил Кен Дэвид, руководитель группы исследований компонентов отделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel.

Транзисторы с каналами из антимонида индия уже анонсировались инженерами Intel и QinetiQ ранее. Анонсированные сегодня транзисторы с длиной затвора 85 нанометров отличаются от них еще меньшими размерами (более чем в 2 раза). Новые транзисторы, работающие в режиме обогащения, были продемонстрированы впервые.

Новости партнеров: